بررسی و ارائه روش های کاهش نویز هم شنوایی در مدارات vlsi با تکنولوژی نانومتر

در تحقیق حاضر، جهت بررسی و ارزیابی نویز هم شنوایی ، به مطالعه ساختارهای مختلف پرداخته شده و اثر پارامترهای مداری مختلف، از جمله طول اتصالات میانی ، اندازه خازن های بار و درایورها بر نحوه تغییر ولتاژ نویز هم شنوایی مورد مطالعه قرار گرفت. با مطالعه خازن های بار و اندازه درایورها مشخص شد، افزایش اندازه خازن بار اتصالات میانی و درایور خط قربانی نویز هم شنوایی را کاهش داده ولی افزایش اندازه درایور خط مهاجم موجب افزایش در ولتاژ نویز هم شنوایی می شود. در ادامه ی تحقیق ساختارهایی مورد بررسی قرار گرفتند که تا کنون مطالعه جامعی در باره آن ها انجام نگرفته است. در ابتدا، ساختار زوج اتصالات میانی با خط قربانی کوتاه تر نسبت به خط مهاجم در نظر گرفته شد. مکان خط قربانی نسبت به خط دیگر جابجا شده و اثر این جابجایی مکانی بر ولتاژ نویز هم شنوایی بررسی شد. با بررسی های جامع مشخص شد با تعیین بهینه پارامترهای مداری، اگر خط قربانی در انتهای خط مهاجم قرار بگیرد ولتاژ تزویج تا 86% کمتر از حالتی خواهد بود که این خط در ابتدای خط مهاجم قرار داشته باشد. زوج اتصالات میانی در ساختار دیگر دارای طول یکسان هستند ولی تنها در قسمت کوچکی از طول، با یکدیگر هم پوشانی دارند. با مطالعات گسترده ای که درباره این ساختار انجام گرفت مشخص شد، اگر اندازه پارامترهای مداری بهینه انتخاب شوند، ولتاژ تزویج هنگامی که خط قربانی جلوتر از خط مهاجم قرار داشته باشد تا 92% کمتر از حالتی خواهد بود که خط قربانی عقب تر از خط دیگر قرار بگیرد. یکی دیگر از مواردی که در تحقیقات در نظر گرفته نشده است، اثر جهت درایو شدن خط مهاجم بر ولتاژ تزویج می باشد. پیرو این موضوع در انتهای این تحقیق ساختاری شامل دو خط مهاجم با طولی برابر نصف طول خط قربانی در نظر گرفته شده و با تغییر جهت درایو شدن خطوط مهاجم، اثر آن بر ولتاژ تزویج مورد بررسی قرار گرفت.